介電 質 半導體

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介電質- 维基百科，自由的百科全书介電質（英語：dielectric，简体中文又称：电介质）是一種可被電極化的絕緣體。

假設將介電質置入外電場，則束縛於其原子或分子的束縛電荷不會流過介電質，只會從原本 ... tw[PDF] 半導體製程 高介電（ High K）材料的介紹 - 國立臺灣大學化學系〈4〉空間電荷極化(space charge polarization)：當兩種或兩種以㆖的物質在㆒起. 時，由於彼此間導電性之不同，載子會受能障. 阻擋，在界面處會減速或囤積而造成電容質增. | [PDF] 第十章介電質薄膜SiO , Si NARC: 反射層鍍膜; IMD: 金屬層間介電質層; PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層 ... | 硼磷矽玻璃 - 中文百科知識硼磷矽玻璃(Boro-phospho-silicate Glass，BPSG)，即摻雜了硼和磷的二氧化矽作為第一層金屬前介電質(PMD)以及金屬層間介電質(AVID)在IC製造中有著廣泛的套用。

[PDF] 奈米材料簡介1. 奈米結構的分類與判斷依據奈米科技之父的諾貝爾 ...薄膜電晶體(TFT)為場效電晶體的一種，製作方式為在基板上沉積半導體主. 動層、介電質和金屬電極層，並鍍上一層薄膜作為通道區。

TFT 多使用能階較小. 的氫化非晶矽(a-Si:H) ...[PDF] 第一章緒論當增加介電常數時，我們可以用物理厚度較厚的介電層來獲得相同的等效. 氧化層厚度(equivalent oxide thickness,EOT) 和相同的閘極電容，因此在有. 較好的閘極控制能力，較 ... | 介電常數k在PTT/Dcard完整相關資訊 - 數位感M.A. Alam, G.B. Alers, T.W. Sorsch, G.L. Timp, F. Baumann, C.T. Liu, Y. Ma, ...[PDF] 半導體製程高介電（ High K）材料的介紹- 台大化學系昇，惟有尋求高介電常數 ...[PDF] 新型低介電材料之合成與應用之研究研究成果報告(精簡版)採用低介電常數(low dielectric constant, low-k)的介電材質已是不可避免的趨勢 ... 人員已經開發出一種Airgap 技術，能夠在半導體IC 內部相鄰的銅導線之間製造出空洞 ...Producer Onyx® | Applied Materials在積體電路中，載流銅佈線採用介電質(非導電) 材料隔離。

隨著半導體元件尺寸縮小，介電質的介電常數(k) 會明顯影響提高元件速度的能力，因此介電常數必須隨之變小。

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